現做一個測試電路，類似于圖5，驅動源是一個線性的60Ohms阻抗輸出的梯形信號，信號的上升沿和下降沿均為100ps，幅值為1V。此信號源按照圖6的三種方式，且其端接一60Ohms的負載，其激勵為一800MHz的周期信號。在0.5V這一點，我們觀察從信號源到接收端之間的時間延遲，顯示出來它們之間的時延差異。其結果如圖7所示，在圖中只顯示了信號的上升沿，從這圖中可以很明顯的看出，帶有四個地過孔環繞的過孔時延同直線相比只有3ps，而在沒有地過孔環繞的情況下，其時延是8ps。由此可知，在信號過孔的周圍增加地過孔的密度是有幫助的。然而，在4層板的PCB里，這個就顯得不是完全的可行性，由于其信號線是靠近電源平面的，這就使得信號的返回路徑是由它們之間的耦合程度來決定的。所以，在4層的PCB設計時，為符合電源完整性（powerintegrity）要求，對其耦合程度的控制是相當重要的。DDR3規范里關于信號建立；天津DDR測試系列

6.信號及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號切換情況下，其電源的容差性。當未符合此容差要求時，將會導致很多的問題，比如加大時鐘抖動、數據抖動和串擾。這里，可以很好的理解與去偶相關的理論，現在從”目標阻抗”的公式定義開始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent（1）在這里，關鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流（TransientCurrent）的影響，另一個重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里，去耦網絡必須確保它的阻抗等于或小于目標阻抗（Ztarget）。在一塊PCB上，由電源和地層所構成的電容，以及所有的去耦電容，必須能夠確保在100KHz左右到100-200MH左右之間的去耦作用。頻率在100KHz以下，在電壓調節模塊里的大電容可以很好的進行去耦。而頻率在200MHz以上的，則應該由片上電容或用的封裝好的電容進行去耦。天津DDR測試系列DDR2總線上的信號波形；

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DDR內存的典型使用方式有兩種：一種是在嵌入式系統中直接使用DDR顆粒，另一種是做成DIMM條(DualIn-lineMemoryModule,雙列直插內存模塊，主要用于服務器和PC)或SO-DIMM(SmallOutlineDIMM,小尺寸雙列直插內存，主要用于筆記本)的形式插在主板上使用。在服務器領域，使用的內存條主要有UDIMM、RDIMM、LRDIMM等。UDIMM(UnbufferedDIMM,非緩沖雙列直插內存)沒有額外驅動電路，延時較小，但數據從CPU傳到每個內存顆粒時，UDIMM需要保證CPU到每個內存顆粒之間的傳輸距離相等，設計難度較大，因此UDIMM在容量和頻率上都較低，通常應用在性能/容量要求不高的場合。

DDR測試DDR/LPDDR簡介目前在計算機主板和各種嵌入式的應用中，存儲器是必不可少的。常用的存儲器有兩種：一種是非易失性的，即掉電不會丟失數據，常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-OnlyMemory),這種存儲器速度較慢，主要用于存儲程序代碼、文件以及長久的數據信息等；另一種是易失性的，即掉電會丟失數據，常用的有RAM(RandomAccessMemory,隨機存儲器),這種存儲器運行速度較快，主要用于程序運行時的程序或者數據緩存等。圖5.1是市面上一些主流存儲器類型的劃分DDR3總線的解碼方法；

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測試頭設計模擬針對測試的設計（DFT）當然收人歡迎，但卻不現實。因為自動測試儀的所需的測試時間與花費正比于內存芯片的存儲容量。顯然測試大容量的DDR芯片花費是相當可觀的。新型DDR芯片的通用DFT功能一直倍受重視，所以人們不斷試圖集結能有效控制和觀察的內部節點。DFT技術，如JEDEC提出的采用并行測試模式進行多陣列同時測試。不幸的是由于過于要求芯片電路尺寸，該方案沒有被采納。DDR作為一種商品，必須比較大限度減小芯片尺寸來保持具有競爭力的價位。 DDR4關于信號建立保持是的定義；數字信號DDR測試哪里買

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7.時序對于時序的計算和分析在一些相關文獻里有詳細的介紹，下面列出需要設置和分析的8個方面：1）寫建立分析：DQvs.DQS2）寫保持分析：DQvs.DQS3）讀建立分析：DQvs.DQS4）讀保持分析：DQvs.DQS5）寫建立分析：DQSvs.CLK6）寫保持分析：DQSvs.CLK7）寫建立分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK8）寫保持分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK

一個針對寫建立（WriteSetup）分析的例子。表中的一些數據需要從控制器和存儲器廠家獲取，段”Interconnect”的數據是取之于SI仿真工具。對于DDR2上面所有的8項都是需要分析的，而對于DDR3，5項和6項不需要考慮。在PCB設計時，長度方面的容差必須要保證totalmargin是正的。 天津DDR測試系列